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Infineon Technologies IRFH7185TRPBF

Número de pieza de MFG
IRFH7185TRPBF
Cantidad disponible
50620 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
FASTIRFET™, HEXFET® MOSFET N CH 100V 19A 8QFN
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie FASTIRFET™, HEXFET®
IRFH7185TRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 19A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2320pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.6W (Ta), 160W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja 8-PowerTDFN
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH7185TRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRFH7185TRPBF-FT

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