casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFD9123
Número de pieza del fabricante | IRFD9123 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFD9123 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD9123 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 390pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-HVMDIP |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD9123 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFD9123-FT |
IPP100N12S305AKSA1
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IPP50N12S3L15AKSA1
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IPP50R250CPXKSA1
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A3P015-QNG68I
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Xilinx Inc.
A1440A-1VQG100C
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AT40K10-2DQU
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EP4CE55F23C9LN
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