casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFD213
Número de pieza del fabricante | IRFD213 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRFD213 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD213 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 450mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 270mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 140pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD213 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFD213-FT |
IPP076N15N5AKSA1
Infineon Technologies
IPP100N12S305AKSA1
Infineon Technologies
IPP50N12S3L15AKSA1
Infineon Technologies
IPP50R250CPXKSA1
Infineon Technologies
IPP65R110CFDXKSA2
Infineon Technologies
IPP65R150CFDXKSA2
Infineon Technologies
IPP65R190CFDXKSA2
Infineon Technologies
IPP65R310CFDXKSA2
Infineon Technologies
IPP65R420CFDXKSA2
Infineon Technologies
IPP70N12S311AKSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-1200ZE-2TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1400AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
5SGXMA7H3F35I3
Intel
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFC7H3F35I3G
Intel
EP1C4F400C8
Intel
EP20K200EBC356-1
Intel