casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFD113
Número de pieza del fabricante | IRFD113 |
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Número de parte futuro | FT-IRFD113 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFD113 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 800mA (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 800mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 200pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 1W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | 4-HVMDIP |
Paquete / Caja | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD113 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFD113-FT |
IPP04CN10NGXKSA1
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IPP076N15N5AKSA1
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IPP65R420CFDXKSA2
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XC3S400-5FTG256C
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XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
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LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
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XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
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