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Infineon Technologies IRFBL3703

Número de pieza de MFG
IRFBL3703
Cantidad disponible
90210 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRFBL3703
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRFBL3703 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 260A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 209nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 8250pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SUPER D2-PAK
Paquete / Caja Super D2-Pak
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFBL3703 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRFBL3703-FT

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