casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRFBA1404P
Número de pieza del fabricante | IRFBA1404P |
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Número de parte futuro | FT-IRFBA1404P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFBA1404P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 206A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 95A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 7360pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | SUPER-220™ (TO-273AA) |
Paquete / Caja | Super-220™-3 (Straight Leads) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBA1404P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRFBA1404P-FT |
IXTF200N10T
IXYS
IXTC36P15P
IXYS
IXTC280N055T
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M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
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