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Infineon Technologies IRF9Z34NSTRRPBF

Name: IRF9Z34NSTRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF9Z34NSTRRPBF
Price: 0.52048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (428 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF9Z34NSTRRPBF

Cantidad disponible: 10110 Piezas

Precio de referencia: USD 0.52048

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF9Z34NSTRRPBF.pdf

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IRF9Z34NSTRRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF9Z34NSTRRPBF
Número de parte futuro	FT-IRF9Z34NSTRRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF9Z34NSTRRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	620pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF9Z34NSTRRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF9Z34NSTRRPBF-FT

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