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Infineon Technologies IRF9910PBF

Número de pieza de MFG
IRF9910PBF
Cantidad disponible
85100 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRF9910PBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF9910PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 10A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 900pF @ 10V
Potencia - max 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF9910PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF9910PBF-FT

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