casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF9530PBF
Número de pieza del fabricante | IRF9530PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF9530PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRF9530PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 7.2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 860pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 88W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9530PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF9530PBF-FT |
AO3434
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AO3400
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AO3421L
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ICE40UP5K-SG48I
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A54SX32A-1TQ100I
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APA075-FGG144
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10AX066N2F40I2SGES
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