casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF9530NSPBF
Número de pieza del fabricante | IRF9530NSPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF9530NSPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF9530NSPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 8.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 760pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.8W (Ta), 79W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF9530NSPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF9530NSPBF-FT |
IRF3707ZSTRL
Infineon Technologies
IRF3707ZSTRLP
Infineon Technologies
IRF3707ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IRF3707ZSTRR
Infineon Technologies
IRF3707ZSTRRP
Infineon Technologies
IRF3708S
Infineon Technologies
IRF3708SPBF
Infineon Technologies
IRF3708STRL
Infineon Technologies
IRF3708STRLPBF
Infineon Technologies
IRF3708STRR
Infineon Technologies
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel