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Infineon Technologies IRF9389PBF

Número de pieza de MFG
IRF9389PBF
Cantidad disponible
43740 Piezas
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
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Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-IRF9389PBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF9389PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6.8A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 398pF @ 15V
Potencia - max 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor 8-SO
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF9389PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF9389PBF-FT

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