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Infineon Technologies IRF8513TRPBF

Name: IRF8513TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8513TRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (595 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF8513TRPBF

Cantidad disponible: 16110 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF8513TRPBF.pdf

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IRF8513TRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF8513TRPBF
Número de parte futuro	FT-IRF8513TRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF8513TRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8A, 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	766pF @ 15V
Potencia - max	1.5W, 2.4W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8513TRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF8513TRPBF-FT

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