casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / IRF8313PBF
Número de pieza del fabricante | IRF8313PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF8313PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRF8313PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 760pF @ 15V |
Potencia - max | 2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF8313PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF8313PBF-FT |
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