casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF8306MTR1PBF
Número de pieza del fabricante | IRF8306MTR1PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF8306MTR1PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF8306MTR1PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 23A (Ta), 140A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 23A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4110pF @ 15V |
Característica FET | Schottky Diode (Body) |
Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta), 75W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | DIRECTFET™ MX |
Paquete / Caja | DirectFET™ Isometric MX |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF8306MTR1PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF8306MTR1PBF-FT |
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XA6SLX45-3FGG484Q
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A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel