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Infineon Technologies IRF7807VD1PBF

Name: IRF7807VD1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7807VD1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.7 (364 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF7807VD1PBF

Cantidad disponible: 90890 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: FETKY™ MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF7807VD1PBF.pdf

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IRF7807VD1PBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF7807VD1PBF
Número de parte futuro	FT-IRF7807VD1PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	FETKY™
IRF7807VD1PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	-
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / Caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF7807VD1PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF7807VD1PBF-FT

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