casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF7534D1TR

| Número de pieza del fabricante | IRF7534D1TR |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IRF7534D1TR |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | FETKY™ |
| IRF7534D1TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.3A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1066pF @ 10V |
| Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
| Disipación de potencia (max) | 1.25W (Ta) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | Micro8™ |
| Paquete / Caja | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF7534D1TR Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IRF7534D1TR-FT |

SPB42N03S2L-13
Infineon Technologies

SPB42N03S2L-13 G
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