casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / IRF7530PBF
Número de pieza del fabricante | IRF7530PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF7530PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF7530PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1310pF @ 15V |
Potencia - max | 1.3W |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | Micro8™ |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7530PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF7530PBF-FT |
PMGD8000LN,115
NXP USA Inc.
SI1539CDL-T1-GE3
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SI1539DDL-T1-GE3
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SI1539DL-T1-E3
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SI1551DL-T1-E3
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SI1553CDL-T1-GE3
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SI1553DL-T1
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SI1553DL-T1-E3
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