casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF740S
Número de pieza del fabricante | IRF740S |
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Número de parte futuro | FT-IRF740S |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRF740S Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 400V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1400pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF740S Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF740S-FT |
IRF9520STRLPBF
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XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
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EP1K100QC208-1GZ
Intel