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Infineon Technologies IRF6811STR1PBF
- Número de pieza de MFG
- IRF6811STR1PBF
- Cantidad disponible
- 20510 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- HEXFET® MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- IRF6811STR1PBF.pdf
IRF6811STR1PBF Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | IRF6811STR1PBF |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IRF6811STR1PBF |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HEXFET® |
| IRF6811STR1PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 19A (Ta), 74A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 35µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1590pF @ 13V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta), 32W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | DIRECTFET™ SQ |
| Paquete / Caja | DirectFET™ Isometric SQ |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF6811STR1PBF Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IRF6811STR1PBF-FT |
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