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Infineon Technologies IRF6710S2TR1PBF

Número de pieza de MFG
IRF6710S2TR1PBF
Cantidad disponible
15670 Piezas
Precio de referencia
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRF6710S2TR1PBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF6710S2TR1PBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 12A (Ta), 37A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1190pF @ 13V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 1.8W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DIRECTFET S1
Paquete / Caja DirectFET™ Isometric S1
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6710S2TR1PBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF6710S2TR1PBF-FT

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