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Infineon Technologies IRF6709S2TRPBF

Name: IRF6709S2TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6709S2TRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.8 (448 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF6709S2TRPBF

Cantidad disponible: 26110 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF6709S2TRPBF.pdf

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IRF6709S2TRPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF6709S2TRPBF
Número de parte futuro	FT-IRF6709S2TRPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF6709S2TRPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	12A (Ta), 39A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1010pF @ 13V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	1.8W (Ta), 21W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DIRECTFET S1
Paquete / Caja	DirectFET™ Isometric S1
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6709S2TRPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF6709S2TRPBF-FT

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