casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / IRF6702M2DTRPBF
Número de pieza del fabricante | IRF6702M2DTRPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF6702M2DTRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6702M2DTRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 15A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1380pF @ 15V |
Potencia - max | 2.7W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DirectFET™ Isometric MA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DIRECTFET™ MA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6702M2DTRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF6702M2DTRPBF-FT |
EFC6611R-A-TF
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EFC6617R-A-TF
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FDC6020C_F077
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation
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