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Infineon Technologies IRF6702M2DTR1PBF

Name: IRF6702M2DTR1PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6702M2DTR1PBF
Availability: InStock
Rating: 4.5 (572 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF6702M2DTR1PBF

Cantidad disponible: 42600 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF6702M2DTR1PBF.pdf

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Número de pieza del fabricante	IRF6702M2DTR1PBF
Número de parte futuro	FT-IRF6702M2DTR1PBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF6702M2DTR1PBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Característica FET	Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.6 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1380pF @ 15V
Potencia - max	2.7W
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	DirectFET™ Isometric MA
Paquete del dispositivo del proveedor	DIRECTFET™ MA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6702M2DTR1PBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF6702M2DTR1PBF-FT

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