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Infineon Technologies IRF6604TR1
- Número de pieza de MFG
- IRF6604TR1
- Cantidad disponible
- 83180 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0
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- Fecha de envío
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- fabricante
- Infineon Technologies
- Breve descripción
- HEXFET® MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- IRF6604TR1.pdf
IRF6604TR1 Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | IRF6604TR1 |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-IRF6604TR1 |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HEXFET® |
| IRF6604TR1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12A (Ta), 49A (Tc) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 7V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 12A, 7V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2270pF @ 15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | DIRECTFET™ MQ |
| Paquete / Caja | DirectFET™ Isometric MQ |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF6604TR1 Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | IRF6604TR1-FT |
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