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Infineon Technologies IRF6602

Número de pieza de MFG
IRF6602
Cantidad disponible
19590 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRF6602
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF6602 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11A (Ta), 48A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1420pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor DIRECTFET™ MQ
Paquete / Caja DirectFET™ Isometric MQ
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF6602 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF6602-FT

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