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STMicroelectronics IRF640FP

Número de pieza de MFG
IRF640FP
Cantidad disponible
84000 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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fabricante
STMicroelectronics
Breve descripción
MESH OVERLAY™ MOSFET N-CH 200V 18A TO-220FP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de pieza del fabricante IRF640FP
Número de parte futuro FT-IRF640FP
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie MESH OVERLAY™
IRF640FP Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 18A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1560pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor TO-220FP
Paquete / Caja TO-220-3 Full Pack
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF640FP Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF640FP-FT

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