casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF6201PBF
Número de pieza del fabricante | IRF6201PBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF6201PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF6201PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 27A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.45 mOhm @ 27A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 8555pF @ 16V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6201PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF6201PBF-FT |
BSO130P03SNTMA1
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BSO200N03S
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BSO201SPNTMA1
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BSO203SPNTMA1
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BSO300N03S
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Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
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EP3SL200F1517C2N
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5SGXMA3K2F35I3N
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XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
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