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Infineon Technologies IRF5801TRPBF

Número de pieza de MFG
IRF5801TRPBF
Cantidad disponible
83620 Piezas
Precio de referencia
USD 0.162968
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF5801TRPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 600mA (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 360mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 3.9nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 88pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Caja SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF5801TRPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF5801TRPBF-FT

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