casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF3708PBF
Número de pieza del fabricante | IRF3708PBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF3708PBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3708PBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 62A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2417pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 87W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220AB |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3708PBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF3708PBF-FT |
IRF6633ATRPBF
Infineon Technologies
IRF6633TR1
Infineon Technologies
IRF6633TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6633TRPBF
Infineon Technologies
IRF6636
Infineon Technologies
IRF6636TR1
Infineon Technologies
IRF6636TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6637TR1
Infineon Technologies
IRF6637TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6637TRPBF
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel