casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF3704ZCS
Número de pieza del fabricante | IRF3704ZCS |
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Número de parte futuro | FT-IRF3704ZCS |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3704ZCS Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 67A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9 mOhm @ 21A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1220pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 57W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3704ZCS Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF3704ZCS-FT |
IPB90N06S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPB90N06S4L04ATMA2
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IRF100S201
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IRF1010EZSPBF
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IRF1010NSPBF
Infineon Technologies
A1010B-2VQ80I
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EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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5CGXBC9A7U19C8N
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