casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF3704STRRPBF
Número de pieza del fabricante | IRF3704STRRPBF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-IRF3704STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3704STRRPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 77A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1996pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 87W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3704STRRPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF3704STRRPBF-FT |
IPB90N06S404ATMA2
Infineon Technologies
IPB90N06S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPB90N06S4L04ATMA2
Infineon Technologies
IPB90R340C3ATMA1
Infineon Technologies
IPBH6N03LA
Infineon Technologies
IPBH6N03LA G
Infineon Technologies
IRF100S201
Infineon Technologies
IRF1010ESTRR
Infineon Technologies
IRF1010EZS
Infineon Technologies
IRF1010EZSPBF
Infineon Technologies
LCMXO2-7000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FG484
Microsemi Corporation
M7A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C3N
Intel
XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
Microsemi Corporation
A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6U19I7N
Intel