casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IRF3007SPBF
Número de pieza del fabricante | IRF3007SPBF |
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Número de parte futuro | FT-IRF3007SPBF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRF3007SPBF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 75V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 62A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 48A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3270pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 120W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3007SPBF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF3007SPBF-FT |
IPB80N06S2L09ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2L09ATMA2
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IPB80N06S2L11ATMA1
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IPB80N06S2L11ATMA2
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IPB80N06S3-05
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IPB80N06S3-07
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IPB80N06S3L-05
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IPB80N06S3L-06
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IPB80N06S405ATMA1
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XC7A100T-2FTG256I
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APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
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XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
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EP1AGX35DF780C6
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EP1S40F1020C5N
Intel