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Infineon Technologies IRF1405ZSTRL-7P

Name: IRF1405ZSTRL-7P
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1405ZSTRL-7P
Availability: InStock
Rating: 4.8 (571 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF1405ZSTRL-7P

Cantidad disponible: 22950 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF1405ZSTRL-7P.pdf

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IRF1405ZSTRL-7P Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF1405ZSTRL-7P
Número de parte futuro	FT-IRF1405ZSTRL-7P
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF1405ZSTRL-7P Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.9 mOhm @ 88A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5360pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK (7-Lead)
Paquete / Caja	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1405ZSTRL-7P Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF1405ZSTRL-7P-FT

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