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Infineon Technologies IRF1404ZSTRLPBF

Número de pieza de MFG
IRF1404ZSTRLPBF
Cantidad disponible
97800 Piezas
Precio de referencia
USD 0.90376
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
HEXFET® MOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-IRF1404ZSTRLPBF
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie HEXFET®
IRF1404ZSTRLPBF Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 180A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 4340pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1404ZSTRLPBF Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IRF1404ZSTRLPBF-FT

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