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Infineon Technologies IRF1018EPBF

Name: IRF1018EPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF1018EPBF
Price: 1.08 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (289 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF1018EPBF

Cantidad disponible: 45750 Piezas

Precio de referencia: USD 1.08

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: HEXFET® MOSFET N-CH 60V 79A TO-220AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF1018EPBF.pdf

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IRF1018EPBF Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF1018EPBF
Número de parte futuro	FT-IRF1018EPBF
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
IRF1018EPBF Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	79A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.4 mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	69nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2290pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220AB
Paquete / Caja	TO-220-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF1018EPBF Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF1018EPBF-FT

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