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Infineon Technologies IRF100P219XKMA1

Name: IRF100P219XKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF100P219XKMA1
Price: 6.464 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (568 reviews)

Número de pieza de MFG: IRF100P219XKMA1

Cantidad disponible: 38380 Piezas

Precio de referencia: USD 6.464

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Infineon Technologies

Breve descripción: StrongIRFET™ TRENCHMOSFETS

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: IRF100P219XKMA1.pdf

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IRF100P219XKMA1 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	IRF100P219XKMA1
Número de parte futuro	FT-IRF100P219XKMA1
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	StrongIRFET™
IRF100P219XKMA1 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	-
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 278µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	270nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	12020pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	341W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AC
Paquete / Caja	TO-247-3
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF100P219XKMA1 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	IRF100P219XKMA1-FT

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