casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IRF01BH2R2J
Número de pieza del fabricante | IRF01BH2R2J |
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Número de parte futuro | FT-IRF01BH2R2J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IRF |
IRF01BH2R2J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 630mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 250 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.9MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 115MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.9MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF01BH2R2J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRF01BH2R2J-FT |
IR04ERR47J
Vishay Dale
IR04RU100K
Vishay Dale
IR04RU101J
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel