casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / IRD3CH11DB6
Número de pieza del fabricante | IRD3CH11DB6 |
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Número de parte futuro | FT-IRD3CH11DB6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRD3CH11DB6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 25A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.7V @ 25A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 190ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 700nA @ 1200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Die |
Paquete del dispositivo del proveedor | Die |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRD3CH11DB6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRD3CH11DB6-FT |
GP15GL-5014E3/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15K-040E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15M-024E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP2D008A065A
Global Power Technologies Group
GP2D008A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A065A
Global Power Technologies Group
GP2D010A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A170B
Global Power Technologies Group
GP2D020A065B
Global Power Technologies Group
GP2D030A065B
Global Power Technologies Group
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel