Número de pieza del fabricante | IRD3900 |
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Número de parte futuro | FT-IRD3900 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRD3900 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 20A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.65V @ 62.8A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 350ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis, Stud Mount |
Paquete / Caja | DO-203AB, DO-5, Stud |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-203AB |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRD3900 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IRD3900-FT |
VS-70HFL10S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFL20S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFL20S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFL40S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFL40S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFL60S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFLR100S05
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFLR10S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFLR20S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70HFLR40S02
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel