casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IR04SH1R0J
Número de pieza del fabricante | IR04SH1R0J |
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Número de parte futuro | FT-IR04SH1R0J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR04SH1R0J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Phenolic |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 785mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 290 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 25MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 200MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04SH1R0J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IR04SH1R0J-FT |
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EP1C6T144C7N
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XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel