casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IR04BH510J
Número de pieza del fabricante | IR04BH510J |
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Número de parte futuro | FT-IR04BH510J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR04BH510J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Inductancia | 51µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 167mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 2.85 Ohm Max |
Q @ Freq | 55 @ 2.5MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 12.7MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2.5MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04BH510J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IR04BH510J-FT |
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XCS05-3VQ100C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676C
Xilinx Inc.
AGLN250V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
EP20K400EFC672-1
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A54SX16A-TQ100
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1AJC
Microchip Technology
EP1S40F780C8N
Intel
EPF10K100ABI356-3N
Intel