casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IR04BH470J
Número de pieza del fabricante | IR04BH470J |
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Número de parte futuro | FT-IR04BH470J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR04BH470J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Inductancia | 47µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 170mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 2.75 Ohm Max |
Q @ Freq | 55 @ 2.5MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 13MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 2.5MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR04BH470J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IR04BH470J-FT |
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel