casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IR02ERR33J
Número de pieza del fabricante | IR02ERR33J |
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Número de parte futuro | FT-IR02ERR33J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR02ERR33J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Phenolic |
Inductancia | 330nH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 815mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 220 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 410MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02ERR33J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IR02ERR33J-FT |
IR02BH4R7K
Vishay Dale
IR02BH560K
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IR02BH561K
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IR02BH820K
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel