casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / IR02EB4R7J
Número de pieza del fabricante | IR02EB4R7J |
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Número de parte futuro | FT-IR02EB4R7J |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR02EB4R7J Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±5% |
Valoración actual | 230mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 75MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.9MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EB4R7J Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IR02EB4R7J-FT |
IMS5SWDBH101K65
Vishay Dale
IR02BH100J
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IR02BH100K
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LFE5U-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200CF672C8
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XC7K410T-1FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel
EP1S10F780I6
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