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Número de pieza del fabricante | IR02EB1R2K |
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Número de parte futuro | FT-IR02EB1R2K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR02EB1R2K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron |
Inductancia | 1.2µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 590mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 25 @ 7.9MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 150MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 105°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 7.9MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EB1R2K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IR02EB1R2K-FT |
IMS05WDST471K40
Vishay Dale
IMS05WDST472K40
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Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation