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Número de pieza del fabricante | IR02EB1R0K |
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Número de parte futuro | FT-IR02EB1R0K |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | IR |
IR02EB1R0K Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Phenolic |
Inductancia | 1µH |
Tolerancia | ±10% |
Valoración actual | 385mA |
Corriente - Saturación | - |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 1 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 25MHz |
Frecuencia - Auto-resonante | 230MHz |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 25MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EB1R0K Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IR02EB1R0K-FT |
IMS05WDST471J40
Vishay Dale
IMS05WDST471K40
Vishay Dale
IMS05WDST472K40
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IMS05WDST6R8K40
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel