casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW65R420CFDFKSA1
Número de pieza del fabricante | IPW65R420CFDFKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPW65R420CFDFKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW65R420CFDFKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.7A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 340µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 870pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 83.3W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW65R420CFDFKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPW65R420CFDFKSA1-FT |
IPP60R280P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP60R360P7XKSA1
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IPD80R2K0P7ATMA1
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IPD80R600P7ATMA1
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IPD95R1K2P7ATMA1
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IPD60R180P7ATMA1
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IPD60R180P7SAUMA1
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IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R280P7SAUMA1
Infineon Technologies
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
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M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
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EP1M350F780C6
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
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