casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPW60R190C6FKSA1
Número de pieza del fabricante | IPW60R190C6FKSA1 |
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Número de parte futuro | FT-IPW60R190C6FKSA1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ |
IPW60R190C6FKSA1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 20.2A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 9.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 630µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1400pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 151W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPW60R190C6FKSA1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPW60R190C6FKSA1-FT |
SPS01N60C3
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SPS02N60C3
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SPS03N60C3BKMA1
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SPA07N60C3XKSA1
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SPA04N60C3XKSA1
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SPA06N80C3XKSA1
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M1A3P600-2PQ208
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AGLN060V5-ZVQ100
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10M25DAF256C7G
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EP3SE260F1152I3
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LCMXO640C-4M100C
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EP3SE110F780C2
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10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel