casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPU050N03L G
Número de pieza del fabricante | IPU050N03L G |
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Número de parte futuro | FT-IPU050N03L G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPU050N03L G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3200pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 68W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO251-3 |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU050N03L G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPU050N03L G-FT |
BSZ12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ130N03MSGATMA1
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BSZ150N10LS3GATMA1
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BSZ160N10NS3GATMA1
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BSZ180P03NS3EGATMA1
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BSZ180P03NS3GATMA1
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BSZ240N12NS3GATMA1
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BSZ42DN25NS3GATMA1
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BSZ900N15NS3GATMA1
Infineon Technologies
XC3S50A-4TQ144I
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M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
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LCMXO2-7000HE-4FG484C
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5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
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EPF8820AQC208-4AA
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