casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPU04N03LB G
Número de pieza del fabricante | IPU04N03LB G |
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Número de parte futuro | FT-IPU04N03LB G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | OptiMOS™ |
IPU04N03LB G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 70µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 5200pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 115W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | P-TO251-3-1 |
Paquete / Caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPU04N03LB G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | IPU04N03LB G-FT |
BSZ120P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ130N03MSGATMA1
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BSZ150N10LS3GATMA1
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BSZ160N10NS3GATMA1
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BSZ16DN25NS3GATMA1
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BSZ180P03NS3EGATMA1
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BSZ180P03NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSZ240N12NS3GATMA1
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BSZ42DN25NS3GATMA1
Infineon Technologies
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
Intel
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
5SGXMB5R1F43C1N
Intel
EP4CGX15BF14I7N
Intel
XC6VLX195T-1FFG784I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70HF35I3N
Intel